最近iphone6s的處理器cpu版本引起了大家討論，iphone6s處理器臺積電16nm工藝版本和三星14nm工藝版本兩個不同的版本，那么臺積電和三星的處理器有什么區(qū)別呢，iPhone 6S處理器臺積電16nm工藝版本與三星14nm工藝版本有什么區(qū)別，下面小編就給大家?guī)碓敿?xì)的介紹。
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三星采用的是較新的14納米制程理論上不但在成本上占優(yōu)勢，效能上也會贏過臺積電所使用的則是16納米制程。 不過， 就實際使用的效能實測結(jié)果來看， 不管是蘋果官方認(rèn)證的2-3%之間實際電池續(xù)航力或是網(wǎng)友實測的近兩小時差異， 臺積電所代工A9的處理器勝過三星代工A9處理器卻是不爭的事實。 為何臺積電16納米A9處理器會勝過Samsung 14納米A9處理器?以下整理網(wǎng)路的相關(guān)資訊及版主個人見解，供大家參考。
FinFET制程是什么?
FinFET( Fin Field-Effect Transistor ， 鰭式場效電晶體)是新型的多重閘道3D電晶體，是曾任臺積電技術(shù)長的柏克萊電機(jī)系教授胡正明所發(fā)明。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管(Field-effecttransistor；FET)的一項創(chuàng)新設(shè)計。 在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。 在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。 這種設(shè)計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。
根據(jù)三星官方說法, Samsung 14nm FinFET 制程在Low Vdd與Less Delay上的表現(xiàn)會優(yōu)于臺積電(TSMC) 20nm Planner
Samsung 14nm FinFET制程與臺積電16nm FinFET制程相比，三星14nm制程的晶體Die Size較小，相同良率下，成本會較占優(yōu)勢。 Ptt網(wǎng)路爆料， 臺積電的A9芯片報價大約是22美元，三星的報價則可能低30%~50% ，版主則認(rèn)為三星報價可能低10~20% 。 不過，三星的良率因不如臺積電，三星的供應(yīng)量無法滿足蘋果大量的供給需求，兩家業(yè)者目前對蘋果的供應(yīng)占比仍在伯仲之間
相較于臺積電的芯片制程是按部就班由28nm > 20nm Planner > 16nm FinFET演進(jìn)而來，三星則是由32nm/28nm Planner技術(shù)直接跳階到14nm FinFET技術(shù)。 由于半導(dǎo)體 FinFET技術(shù)與過去2D平面技術(shù)的經(jīng)驗不同， FinFET無論在制程、設(shè)計、IP與電子設(shè)計自動化(EDA)工具各方面都必須經(jīng)過克服眾多挑戰(zhàn)才能成熟，就結(jié)果論來看，三星似乎尚未能成熟駕馭FinFET這項新技術(shù)，尤其是良率與漏電控制上 。 三星雖然挖走了臺積電FinFET技術(shù)的戰(zhàn)將 ， 但高階主管通常只記得大方向，防漏電及改善良率的苦功則還是要仰賴基層大量、高素質(zhì)且年輕的肝堆砌而來， 這目前仍是臺積電的強(qiáng)項 。 兩家公司產(chǎn)品的效能的差異，以跑步來舉例，三星雖然速度優(yōu)于臺積電，但跑起來卻老是蛇行，最終還是輸給直行的臺積電 。
不過，話雖如此，三星A9的效能仍是通過Apple的認(rèn)可，不是三星A9的效能不好，而是臺積電做得太好 。 基于成本的考量與Apple過去的風(fēng)格，三星仍在A9處理器訂單爭奪上占了上風(fēng)。 雖然臺積電暫時透過法律途徑暫時讓梁孟松無法正式在三星任職，但關(guān)鍵人才遭挖角導(dǎo)致原本技術(shù)的落差鴻溝被彌平的傷害已經(jīng)造成，臺積電仍將面臨三星與中國很大的挑戰(zhàn)與嚴(yán)酷考驗 。 臺積電如何善用蔣尚義的指導(dǎo)及過去數(shù)十年累積的經(jīng)驗與基礎(chǔ)盡早讓臺積電7nm做到全世界最領(lǐng)先，將是臺積電擺脫三星纏斗之道 。
這就是小編給大家?guī)淼膇Phone 6S處理器臺積電16nm工藝版本 與三星14nm工藝版本區(qū)別介紹了，希望對大家有用。
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